{"id":5255,"date":"2022-05-23T13:21:37","date_gmt":"2022-05-23T13:21:37","guid":{"rendered":"https:\/\/longchangchemical.com\/?p=5255"},"modified":"2026-04-28T10:42:00","modified_gmt":"2026-04-28T10:42:00","slug":"the-complete-guide-to-photoresist","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/longchangchemical.com\/it\/the-complete-guide-to-photoresist\/","title":{"rendered":"2023 La guida completa ai fotoresistori"},"content":{"rendered":"

2023 La guida completa ai fotoresistori<\/strong><\/h1>\n

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Risposta rapida:<\/strong> La scelta del fotoiniziatore \u00e8 solitamente guidata dalla compatibilit\u00e0 con la lampada, dalla profondit\u00e0 di polimerizzazione, dall'ingiallimento e dalla capacit\u00e0 del film finale di performare sul substrato reale. Il pacchetto migliore \u00e8 raramente il singolo grado pi\u00f9 economico.<\/p>\n

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For negative photoresist development, Fotoiniziatore OXE-02<\/a> is a useful product reference when evaluating cure speed and imaging performance under UV exposure.<\/p>\n

La fotoresistenza, nota anche come photoresist, \u00e8 un liquido misto sensibile alla luce. \u00c8 composto da fotoiniziatore, resina fotoresistente, monomero, solvente e altri additivi. Il fotoresist \u00e8 un tipo di mezzo di trasferimento grafico che pu\u00f2 essere utilizzato per trasferire la versione grafica della maschera sul substrato con diverse solubilit\u00e0 dopo la reazione alla luce. Attualmente, il fotoresist \u00e8 ampiamente utilizzato per la realizzazione di linee grafiche sottili nell'industria dell'informazione optoelettronica. \u00c8 uno dei materiali chiave nel campo della produzione elettronica.
\nIn base alla lunghezza d'onda della luce, i fotoresist possono essere suddivisi in fotoresist ultravioletti (300-450 nm), fotoresist ultravioletti profondi (160-280 nm), fotoresist ultravioletti estremi (EUV, 13,5 nm), fotoresist a fascio di elettroni, fotoresist a fascio di ioni, fotoresist a raggi X, ecc. In generale, minore \u00e8 la lunghezza d'onda, migliore \u00e8 la risoluzione di lavorazione con lo stesso metodo di processo.
\nIn base alle diverse applicazioni, i fotoresist possono essere suddivisi in fotoresist per circuiti stampati (PCB), schermi a cristalli liquidi (LCD), semiconduttori e altre applicazioni. Le barriere tecniche dei fotoresist per PCB sono relativamente basse rispetto alle altre due categorie, mentre i fotoresist per semiconduttori rappresentano il livello tecnologico pi\u00f9 avanzato dei fotoresist.
\nIn base alla struttura chimica, i fotoresistenti possono essere suddivisi in fotopolimerici, fotolitici, fotoreticolati e chimicamente esagerati. I fotoresistenti fotopolimerici utilizzano monomeri alcheni per generare radicali liberi sotto l'azione della luce, che innescano ulteriormente la polimerizzazione dei monomeri e infine generano polimeri. Le fotoresistenze fotolitiche utilizzano diazochinoni (DQN) come fotorecettori, che possono essere trasformati in fotoresistenze positive per reazione fotolitica dopo l'illuminazione; le fotoresistenze reticolate utilizzano il polivinil laurato come materiale fotosensibile, che pu\u00f2 essere trasformato in fotoresistenze negative formando una struttura a rete insolubile sotto l'azione della luce e resistendo alla corrosione. Dopo l'utilizzo di sorgenti di luce ultravioletta profonda (DUV) nella litografia dei circuiti integrati a semiconduttore, la tecnologia di amplificazione chimica (CAR) \u00e8 diventata gradualmente il mainstream delle applicazioni industriali. Nella tecnologia CAR, la resina \u00e8 un polietilene protetto da gruppi chimici e quindi difficile da sciogliere. Le fotoresistenze amplificate chimicamente utilizzano fotoacidi (PAG) come fotoiniziatori. Quando il fotoresist viene esposto, il PAG produce un acido nell'area esposta. Questo acido agisce come catalizzatore durante il processo di cottura post-riscaldamento e rimuove i gruppi protettivi della resina, rendendola facilmente solubile. I fotoresistenti amplificati chimicamente sono 10 volte pi\u00f9 veloci dei fotoresistenti DQN e presentano una buona sensibilit\u00e0 ottica alle sorgenti di luce UV profonda, un elevato contrasto e un'alta risoluzione.
\nIl fotoresist \u00e8 un materiale importante per la produzione di circuiti integrati: la qualit\u00e0 e le prestazioni del fotoresist sono un fattore chiave che influisce sulle prestazioni, sulla resa e sull'affidabilit\u00e0 dei circuiti integrati, il costo del processo di fotolitografia \u00e8 pari a circa 35% dell'intero processo di produzione dei chip e richiede circa 40-50% del tempo dell'intero processo di produzione dei chip, il costo del fotoresist rappresenta circa 4% del costo totale dei materiali di produzione dei circuiti integrati, il mercato \u00e8 enorme. Secondo l'istituto terzo Wisdom Research Consulting, le dimensioni del mercato globale delle fotoresistenze dovrebbero raggiungere quasi $9 miliardi nel 2019, con un CAGR di circa 5,4% dal 2010 a oggi. Si prevede che il mercato continuer\u00e0 a crescere a un tasso medio annuo di 5% nei prossimi tre anni e che le dimensioni del mercato globale delle fotoresistenze supereranno i 10 miliardi di dollari entro il 2022. L'industria delle fotoresistenze presenta barriere industriali molto elevate, per cui il settore si trova in una situazione di oligopolio a livello globale. Il settore delle fotoresistenze \u00e8 stato monopolizzato per molti anni da aziende professionali giapponesi e americane. Attualmente, i primi cinque produttori occupano l'87% del mercato globale delle fotoresistenze e il settore \u00e8 altamente concentrato. Tra questi, la quota di mercato di Japan JSR, Tokyo E&C, Japan Shin-Etsu e Fuji Electronic Materials raggiunge complessivamente 72%. La tecnologia di base dei fotoresist ad alta risoluzione KrF e ArF per semiconduttori \u00e8 sostanzialmente monopolizzata dalle aziende giapponesi e americane e la maggior parte dei prodotti proviene da aziende giapponesi e americane, come DuPont, JSR Corporation, Shin-Etsu Chemical, Tokyo Chemical Industry, Fujifilm e Korea Dongjin. Per quanto riguarda l'intero modello di mercato delle fotoresistenze, il Giappone \u00e8 il principale punto di raccolta dell'industria delle fotoresistenze. Attualmente, la Cina continentale dipende fortemente dall'estero per i materiali elettronici, in particolare per le fotoresistenze. Pertanto, la sostituzione della produzione nazionale di materiali per semiconduttori \u00e8 una tendenza inevitabile.<\/p>\n

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Un percorso pratico di selezione per progetti relativi ai fotoiniziatori<\/h2>\n

Quando gli acquirenti tecnici o i formulator valutano i fotoiniziatori, il quadro decisionale pi\u00f9 utile \u00e8 solitamente la qualit\u00e0 della polimerizzazione pi\u00f9 l'idoneit\u00e0 dell'applicazione: quale confezione polimerizza in modo affidabile, mantiene un aspetto accettabile e funziona ancora sotto le condizioni di lampada, spessore del film e substrato del processo effettivo.<\/p>\n